双极晶体管及其制造方法
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摘要
本发明提供了一种在标准的CMOS浅沟槽隔离区域的沟槽(4、44)中集成的具有降低的集电极串联电阻的双极晶体管。该双极晶体管包括在一个制造步骤中制造的集电极区域(6、34)，因此具有较短的导电路径，降低了集电极串联电阻，改善了双极晶体管的高频性能。双极晶体管还包括基极区域(8、22、38)和发射极区域(10、24、39)，基极区域的第一部分位于沟槽(4、44)底部上的集电极区域(6、34)的选定部分上，发射极区域位于基极区域(8、22、38)的第一部分的选定部分上。基极接触(11、26、51)在绝缘区域(2、42)上的基极区域(8、22、38)的第二部分上与基极区域(8、22、38)电接触。集电极区域(6、34)在突起(5、45)的顶部上与集电极接触(13、25、50)电接触。
基本信息
专利标题 ：
双极晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142661A
申请号 ：
CN200680002444.2
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰内斯·J·T·M·唐克斯韦伯·D·范诺尔特菲利浦·默尼耶－贝拉德塞巴斯蒂恩·尼坦克埃尔温·海曾弗朗索瓦·纳耶莉
申请人 ：
NXP股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200680002444.2
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L29/732 H01L29/737
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2009-08-26 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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