双极型晶体管的集成制造工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
双极型晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合CMOS制造工艺同时形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用模向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
基本信息
专利标题 ：
双极型晶体管的集成制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057547A
申请号 ：
CN91104429.9
公开（公告）日 ：
1992-01-01
申请日 ：
1988-01-30
授权号 ：
CN1020026C
授权日 ：
1993-03-03
发明人 ：
拉杰夫·让·沙夏托安·特兰
申请人 ：
德克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
傅远
优先权 ：
CN91104429.9
主分类号 ：
H01L21/328
IPC分类号 ：
H01L21/328 H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
法律状态
2004-04-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-03-03 ：
授权
1992-01-01 ：
公开
1991-12-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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