沟槽绝缘栅双极型晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种沟槽绝缘栅双极型晶体管，包括：P型掺杂阱层、轻掺杂N型漂移层、轻掺杂N型缓冲层和重掺杂P型集电区层，位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内；位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有依次连接的第一重掺杂N型源极区、重掺杂P型区、第二重掺杂N型源极区，所述第二重掺杂N型源极区位于第二沟槽的周边；一发射极层覆盖于第一重掺杂N型源极区、重掺杂P型区、第二重掺杂N型源极区上表面。本实用新型既提高了双极型晶体管开启操作速度，也提高了器件的关闭操作速度，从而降低了开关损耗。
基本信息
专利标题 ：
沟槽绝缘栅双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022423571.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN214152905U
授权日 ：
2021-09-07
发明人 ：
郭家铭俞仲威黄国伦张朝宗
申请人 ：
开泰半导体（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202022423571.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739
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法律状态
2021-09-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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