大电流绝缘栅双极型晶体管器件
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摘要
本实用新型公开一种大电流绝缘栅双极型晶体管器件，包括：轻掺杂N型缓冲层和位于轻掺杂N型硅片本体下部的重掺杂P型集电区层；位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，所述第一沟槽、第二沟槽内分别具有第一栅极部、第二栅极部；位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边，所述重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边；一第一栅电极层、第二栅电极层分别位于第一栅极部、第二栅极部上表面。本实用新型晶体管器件使器件能快速关断，从而降低了晶体管器件的损耗。
基本信息
专利标题 ：
大电流绝缘栅双极型晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022413927.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN214254425U
授权日 ：
2021-09-21
发明人 ：
郭家铭俞仲威黄国伦张朝宗
申请人 ：
开泰半导体（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202022413927.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739
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法律状态
2021-09-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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