一种高性能的沟槽型绝缘栅双极型晶体管器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种高性能的沟槽型绝缘栅双极型晶体管器件，包括芯片本体，芯片本体包括N型基区，N型基区的表面设有多个沟槽区，沟槽区包括多个第一沟槽区和多个第二沟槽区，第一沟槽区的底部设置有厚栅氧化层，第二沟槽区的底部未设置厚栅氧化层，厚栅氧化层的厚度为1～2微米，第一沟槽区的左右两端还分别设有位于P型基区表面的N+发射极区，第一沟槽区及第二沟槽区的内侧面上均设有栅氧化膜。本实用新型的高性能的沟槽型绝缘栅双极型晶体管器件表面形貌平整、电学参数一致性高、导通压降低、开关损耗小、可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
一种高性能的沟槽型绝缘栅双极型晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921867204.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-01
授权号 ：
CN210607262U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
阳平
申请人 ：
上海擎茂微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫星路588号2幢1169室
代理机构 ：
温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
汤时达
优先权 ：
CN201921867204.X
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/739
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法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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