沟槽型绝缘栅双极型晶体管及家用电器

授权

摘要

本申请提供了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管及家用电器，该晶体管包括：半导体层叠结构，其中沿半导体层叠结构的主表面划分成至少一元胞区，元胞区内设置有沟槽；第一栅极绝缘层，位于沟槽内；第一栅极，位于沟槽内，且通过第一栅极绝缘层与半导体层叠结构绝缘隔离；第二栅极绝缘层，位于沟槽内，且覆盖第一栅极；第二栅极，至少部分位于沟槽内，且通过第二栅极绝缘层与第一栅极绝缘隔离；第三栅极，设置于半导体层叠结构的主表面上；其中，第一栅极与第三栅极绝缘隔离，第二栅极与第三栅极电连接。通过上述方式，本申请能够形成电阻‑电容并联的复合栅极，增大栅极的输入电阻同时减小输入电容，简化外部电路的设计，提高产品的设计可靠性。

基本信息

专利标题：

沟槽型绝缘栅双极型晶体管及家用电器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021318487.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-06

授权号：

CN213071145U

授权日：

2021-04-27

发明人：

周海佳冯宇翔

申请人：

广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司

申请人地址：

广东省佛山市顺德区北滘镇工业大道美的全球创新中心4栋

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

李庆波

优先权：

CN202021318487.5

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/739