绝缘栅双极型晶体管

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摘要

本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：漂移区和存储层，自下向上依次形成于衬底中；以及，多个栅极结构，形成于所述衬底中，所述多个栅极结构包括若干第一栅极结构和若干第二栅极结构，所述第一栅极结构的深度介于所述漂移区的顶面和底面之间，所述第二栅极结构的深度介于所述存储层的顶面和底面之间，并且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构按照预设比例排布。本实用新型的技术方案能够在降低关断损耗的同时，还能使得饱和压降的增加幅度得到有效控制。

基本信息

专利标题：

绝缘栅双极型晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021338309.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-09

授权号：

CN212182337U

授权日：

2020-12-18

发明人：

周振强徐承福

申请人：

中芯集成电路制造（绍兴）有限公司

申请人地址：

浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN202021338309.9

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/423