绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

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摘要

本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区，所述漂移区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度；体区，与所述漂移区的掺杂类型不同的所述体区包括第一部分和第二部分；所述第一部分，位于所述第一掺杂区和发射极区之间，且与所述第一掺杂区接触；所述第二部分，位于所述第二掺杂区和栅极区之间，且与所述第二掺杂区接触。

基本信息

专利标题：

绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112310205A

申请号：

CN201910691521.9

公开（公告）日：

2021-02-02

申请日：

2019-07-29

授权号：

CN112310205B

授权日：

2022-04-19

发明人：

刘利书冯宇翔

申请人：

广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司

申请人地址：

广东省佛山市顺德区北滘镇工业大道美的全球创新中心4栋

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司

代理人：

李昂

优先权：

CN201910691521.9

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331