低关断损耗的超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种低关断损耗的超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。所述超级结绝缘栅双极型晶体管包括第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第二导电类型的外延层和第一导电类型的阱区；集电区与集电极配合设置；漂移区形成在集电区上，并且漂移区内分布有多个超级结区；外延层形成在漂移区上，阱区形成在外延层上部，并且外延层及阱区内设置有栅极；阱区上部形成有第二导电类型的发射极；其中，超级结区包括第一导电类型的柱，第一导电类型的柱填充于第一沟槽内；晶体管还包括第二导电类型的高掺杂区，高掺杂区沿周向包围柱的侧壁。本发明提供的超级结绝缘栅双极型晶体管，提升了关断时空间电场的建立速度，降低了关断能量损耗。
基本信息
专利标题 ：
低关断损耗的超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300528A
申请号 ：
CN202111626123.2
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祁金伟卢烁今
申请人 ：
深圳市千屹芯科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道海裕社区82区新湖路华美居商务中心A区612
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202111626123.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L21/331
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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