屏蔽型绝缘栅双极型晶体管结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种屏蔽型绝缘栅双极型晶体管结构，它的第一、二类沟槽均从N型源区的上表面向下依次穿透N型源区、P型体区与N型积累层，最后进入N型外延层内；在第一类沟槽的上段设有栅氧层，在栅氧层内设有栅极导电多晶硅，在第一类沟槽的下段设有场氧层，在该场氧层内设有第一类屏蔽栅导电多晶硅；在第二类沟槽内设有场氧层，在该场氧层内设有第二类屏蔽栅导电多晶硅；发射极金属通过发射极金属连接柱与N型源区以及P型体区欧姆接触。本实用新型中，只有第一类沟槽中的上半部分设有栅极导电多晶硅，而且栅氧层与N型积累层的接触面积较小，器件的栅极电容极小，开关损耗较小，栅极电位不容易受到载流子的影响，使得器件的可靠性提升。

基本信息

专利标题：

屏蔽型绝缘栅双极型晶体管结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020216925.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-26

授权号：

CN211182214U

授权日：

2020-08-04

发明人：

朱袁正周锦程李宗清

申请人：

无锡新洁能股份有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

曹祖良

优先权：

CN202020216925.0

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/06 H01L29/423