一种高性能的绝缘栅双极型晶体管结构

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摘要

本实用新型公开了一种高性能的绝缘栅双极型晶体管结构，包括半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、发射极电极、JFET区本体、绝缘介质层、N+发射区、P阱区、P+深阱区、漂移区、P型集电极区和集电极本体。本实用新型通过刻蚀工艺在JFET区本体的上方去除多晶硅栅极，使得器件承受反向耐压时JFET区本体的表面电场大为减少，增强了P阱区对JFET区本体的耐压保护作用，增大了器件的击穿电压，JFET区本体上方没有多晶硅栅极，在器件承受反向击穿电压时，JFET区本体的表面电场强度降低，解决了JFET区表面的电场峰值增大，造成器件的击穿电压较低，以及栅源电容和栅漏电容较大，器件开通和关断损耗较大的问题。

基本信息

专利标题：

一种高性能的绝缘栅双极型晶体管结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921553297.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-18

授权号：

CN210607266U

授权日：

2020-05-22

发明人：

阳平

申请人：

上海擎茂微电子科技有限公司

申请人地址：

上海市闵行区紫星路588号2幢1169室

代理机构：

温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

汤时达

优先权：

CN201921553297.9

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/06