一种半导体绝缘栅双极型晶体管结构

授权

摘要

本实用新型公开了一种半导体绝缘栅双极型晶体管结构，包括外壳、活塞杆、缓冲腔、电极、内管、夹紧板、第一弹簧、橡胶垫、固定孔、底板、活动槽、固定管、底座、第二弹簧、第一连接板、第二连接板、推板、滑轨、保护套、滑块、推杆、缓冲垫、固定板、套管、第三弹簧和活动杆。本实用新型可以通过缓冲腔内部的固定板、套管、第三弹簧、活动杆和橡胶垫可以起到缓冲的效果，可以起到保护内管效果，而且通过夹紧板和第一弹簧可以方便固定压紧内管；可以通过底板、活塞杆、活动槽和固定管便于讲内管安装在外壳内部，通过保护套可以保护活塞杆，而且通过第二弹簧、第一连接板、第二连接板、推板、滑轨、滑块、推杆和缓冲垫可以起到保护内管的效果。

基本信息

专利标题：

一种半导体绝缘栅双极型晶体管结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020537846.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-10

授权号：

CN212412060U

授权日：

2021-01-26

发明人：

王辉韩伟

申请人：

深圳市麦思浦半导体有限公司

申请人地址：

广东省深圳市宝安区西乡街道盐田社区银田路4号华丰宝安智谷科技创新园A座801-803

代理机构：

深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

何兵

优先权：

CN202020537846.X

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L23/02