一种绝缘栅双极型晶体管
授权
摘要
本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管。该绝缘栅双极型晶体管包括圆形元胞，多个圆形元胞阵列排布并且栅极相互连通。圆形元胞包括：沟槽栅，沟槽栅呈环形且沿圆形元胞的外周周向分布；N+有源区，N+有源区呈圆柱状，其位于沟槽栅的环形以内；以及P阱，P阱呈圆柱状，其位于沟槽栅的环形以内，且P阱位于N+有源区的下方。由于采用了圆形元胞结构，绝缘栅双极型晶体管的N+有源区面积大、沟槽栅密度大、电流密度高且导通压降小，使得绝缘栅双极型晶体管面积小且工作时耗损小，有利于降低芯片面积和提高绝缘栅双极型晶体管的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种绝缘栅双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020082994.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-15
授权号 ：
CN211150565U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
葛孝昊史波曾丹陈茂麟
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202020082994.7
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L29/423
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法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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