绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，属于芯片技术领域。所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法包括：在第一类材料衬底的正面形成所述IGBT的基础结构；在所述基础结构表面沉积第二类材料薄膜；在所述第二类材料薄膜表面沉积层间介质层薄膜，以形成待刻蚀结构；通过接触孔刻蚀工艺，并通过预选的对第三类材料和第二类材料具有高选择比的气体、及预选的对第二类材料和第一类材料具有高选择比的气体，对所述待刻蚀结构进行接触孔刻蚀，形成接触孔槽。本发明实施例可以提高单晶片内各区域的接触孔刻蚀深度均一性，并使得IGBT器件在抗闩锁性能上更加稳定。
基本信息
专利标题 ：
绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512537A
申请号 ：
CN202210411916.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-04-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵东艳王于波陈燕宁付振张泉尹强肖超田俊
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
王晓晓
优先权 ：
CN202210411916.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/331 H01L29/739
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220419
申请日 : 20220419
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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