利用CMOS工艺制造双极型晶体管
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
本发明揭示了一种双极型晶体管，及其与MOSFET器件兼容的制造方法。晶体管本征基区(54)形成于半导体阱(22)的表层，并被一层栅氧化层(44)覆盖。栅氧化层(44)上开出窗口，并且其上淀积掺杂多晶硅，形成与基区(54)接触的多晶硅发射极(68)。侧壁氧化层(82，84)形成于多晶硅发射极结构(68)上。集电区(90)和非本征基区(100)形成于半导体阱(22)之中，并且相对于多晶硅发射极侧壁氧化层(82、84)的对侧边缘自动对齐。
基本信息
专利标题 ：
利用CMOS工艺制造双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88100466A
申请号 ：
CN88100466.9
公开（公告）日 ：
1988-09-07
申请日 ：
1988-01-26
授权号 ：
CN1012774B
授权日 ：
1991-06-05
发明人 ：
戴维·斯普莱特拉吉夫·R·沙汉
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
吴淑芳
优先权 ：
CN88100466.9
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/70 H01L29/70
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2009-02-11 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1992-01-08 ：
授权
1991-06-05 ：
审定
1990-06-06 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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