双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
基本信息
专利标题 ：
双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88100546A
申请号 ：
CN88100546.0
公开（公告）日 ：
1988-08-10
申请日 ：
1988-01-30
授权号 ：
CN1015037B
授权日 ：
1991-12-04
发明人 ：
拉杰夫·让·沙夏托安·特兰
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
傅远
优先权 ：
CN88100546.0
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/04 H01L29/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2004-04-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1992-07-15 ：
授权
1991-12-04 ：
审定
1990-06-06 ：
实质审查请求
1988-08-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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