金属氧化物半导体场效应晶体管

专利权的终止

摘要

一种金属氧化物半导体场效应晶体管，此金属氧化物半导体场效应晶体管是由基底、数个隔离结构、栅极结构、源极与漏极层及间隙壁所构成。隔离结构配置于基底中。栅极结构配置于隔离结构之间的基底上。源极与漏极层位于栅极结构两侧与隔离结构之间的基底中，且源极与漏极层的顶表面高于隔离结构的顶表面。间隙壁位于栅极结构的侧壁，以及源极与漏极层的侧壁与隔离结构上。

基本信息

专利标题：

金属氧化物半导体场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620129453.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-07-24

授权号：

CN2929966Y

授权日：

2007-08-01

发明人：

张子云蔡振华刘珀玮蔡成宗

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200620129453.5

主分类号：

H01L27/04

IPC分类号：

H01L27/04 H01L29/78

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

法律状态

2011-09-28 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101111713388
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006201294535
申请日 : 20060724
授权公告日 : 20070801
终止日期 : 20100724

2007-08-01 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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