具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
专利权的终止
摘要
一种沟槽型的功率半导体设备，包括所述沟槽内沉积的而非生成的氧化物，从而将设置在所述沟槽内的电极电隔离于所述半导体主体。
基本信息
专利标题 ：
具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164149A
申请号 ：
CN200580037551.4
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·蒙哥马利
申请人 ：
国际整流器公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
周建秋
优先权 ：
CN200580037551.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L31/119
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2013-01-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101375319163
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005800375514
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20101103
终止日期 : 20111031
号牌文件序号 : 101375319163
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005800375514
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20101103
终止日期 : 20111031
2010-11-03 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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