金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，通过在金属氧化物半导体场效应晶体管器件的背面注入P型杂质，从而可以降低大电流下金属氧化物半导体场效应晶体管器件的导通电阻，因此能够减少器件工作时产生的热量。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497187A
申请号 ：
CN202210071209.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
明笑平郭昊鑫王鹏滕跃于博伟
申请人 ：
吉林华微电子股份有限公司
申请人地址 ：
吉林省吉林市高新区深圳街99号
代理机构 ：
成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈万艺
优先权 ：
CN202210071209.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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