金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
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摘要
一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，是先于一基底上形成栅极结构，再于栅极结构侧壁形成偏移间隙壁。然后，进行第一离子注入工艺，以于栅极结构侧边的基底内形成LDD，再于偏移间隙壁的侧壁形成另一间隙壁。接着，进行第二离子注入工艺，以于前述间隙壁侧边的基底内形成源极与漏极，再于源极与漏极表面形成一硅化金属层。之后，于硅化金属层表面形成一氧化层，再将间隙壁去除。随后，于基底上形成一层蚀刻中止层。由于硅化金属层表面有氧化层保护，所以不会受到去除间隙壁时所采用的溶剂损害。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941409A
申请号 ：
CN200510108839.8
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹博昭黄昌琪陈铭聪江怡颖张毓蓝李忠儒吴至宁廖宽仰
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510108839.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2009-02-11 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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