晶体管和半导体电路的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。
基本信息
专利标题 ：
晶体管和半导体电路的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1741257A
申请号 ：
CN200510091919.7
公开（公告）日 ：
2006-03-01
申请日 ：
1994-03-12
授权号 ：
CN100437945C
授权日 ：
2008-11-26
发明人 ：
张宏勇鱼地秀贵高山彻竹村保彦山本睦夫
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶恺东
优先权 ：
CN200510091919.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581485137
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005100919197
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20081126
期满终止日期 : 20140312
号牌文件序号 : 101581485137
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005100919197
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20081126
期满终止日期 : 20140312
2008-11-26 ：
授权
2006-04-26 ：
实质审查的生效
2006-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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