晶体管和半导体电路
专利权的终止
摘要
形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。
基本信息
专利标题 ：
晶体管和半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1094851A
申请号 ：
CN94102725.2
公开（公告）日 ：
1994-11-09
申请日 ：
1994-03-12
授权号 ：
CN1126179C
授权日 ：
2003-10-29
发明人 ：
张宏勇鱼地秀贵高山彻竹村保彦山本睦夫
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴增勇
优先权 ：
CN94102725.2
主分类号 ：
H01L29/02
IPC分类号 ：
H01L29/02 H01L27/00 H01L21/02 H01L21/336
法律状态
2014-05-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101582079982
IPC(主分类) : H01L 29/02
专利号 : ZL941027252
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20031029
终止日期 : 20130312
号牌文件序号 : 101582079982
IPC(主分类) : H01L 29/02
专利号 : ZL941027252
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20031029
终止日期 : 20130312
2003-10-29 ：
授权
1996-06-05 ：
实质审查请求的生效
1994-11-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1094851A.PDF
PDF下载
2、
CN1126179C.PDF
PDF下载
