半导体结构以及形成半导体晶体管的方法
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摘要
本发明提供一种半导体结构以及形成半导体晶体管的方法，该半导体结构包含有一基底、以及一应力层。该基底具有一第一元件区与一第二元件区。该应力层于该第一元件区与该第二元件区上。该应力层在该第一元件区内有一第一部分，具有一第一应力。该应力层在该第二元件区内有一第二部分，具有一第二应力。该第一跟该第二应力大致上不同。该第一跟该第二应力其中之一是由被一极速退火制程所产生，且该极速退火制程的热处理时间少于一秒。本发明所述的半导体结构以及形成半导体晶体管的方法，利用对于不同元件进行极速退火制程，就可以依照元件的需求，给予不同的应力。而且，以低温形成的侧壁子所带有的缺点也被克服了。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构以及形成半导体晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881563A
申请号 ：
CN200510124043.1
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2005-11-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁孟松陈建豪聂俊峰蔡邦彦李资良陈世昌
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510124043.1
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/8232 H01L21/336 H01L21/268 H01L27/02 H01L27/088 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2008-04-02 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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