晶体管、半导体元件及其形成方法
公开
摘要
一种晶体管、半导体元件及其形成方法。在一些实行方案中，一或多个半导体处理工具可通过以下操作形成半导体元件的第一端子：将穿隧氧化物层沉积于半导体元件的主体的第一部分上；将第一体积的基于多晶硅的材料沉积于穿隧氧化物层上；及将第一介电层沉积于第一体积的基于多晶硅的材料的上部表面上，且将第二介电层沉积于第一体积的基于多晶硅的材料的侧表面上。一或多个半导体处理工具可通过以下操作形成半导体元件的第二端子：将第二体积的基于多晶硅的材料沉积于半导体元件的主体的第二部分上。第二体积的基于多晶硅的材料的侧表面邻近于第二介电层。
基本信息
专利标题 ：
晶体管、半导体元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520261A
申请号 ：
CN202110220562.7
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-02-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林玉珠任啟中江文智苏明宏陈永翰苏美甄盤家铭
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110220562.7
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/788 H01L21/28 H01L21/336
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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