半导体元件及形成半导体元件的方法

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摘要

本发明提供一种半导体元件及形成半导体元件的方法，所述半导体元件包含有栅极、间隙壁、缓冲层、源极/漏极区域。栅极包括有栅极电极及栅极介电层，且栅极介电层位于上述栅极电极之下。间隙壁形成栅极电极及栅极介电层的侧壁。缓冲层位于一半导体基底上，上述缓冲层具有一第一位置于栅极介电层及间隙壁之下，并具有一第二位置与间隙壁相邻，其中位于第二位置的缓冲层的上表面较位于第一位置的缓冲层的上表面凹陷。源极/漏极区域大致与间隙壁对齐。缓冲层的晶格常数大于位于其下的基底的晶格常数。上述半导体元件更包括有一半导体覆盖层，位于缓冲层及栅极介电层之间，其中半导体覆盖层的晶格常数小于缓冲层的晶格常数。

基本信息

专利标题：

半导体元件及形成半导体元件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1825627A

申请号：

CN200610001673.4

公开（公告）日：

2006-08-30

申请日：

2006-01-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王志豪陈尚志蔡庆威王大维蔡邦彦

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200610001673.4

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336