半导体元件及其形成方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体元件及其形成方法，具体涉及用来预防尖端引发电容漏电流的元件及其形成方法。是以较厚的底部电极填满导致尖端形成的微沟槽。另一方式则是，将接触插塞形成凹陷以降低微沟槽的形成。本发明所述半导体元件及其形成方法，可避免尖端的形成，进而改善制程可靠度。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1901202A
申请号 ：
CN200610059808.2
公开（公告）日 ：
2007-01-24
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
涂国基
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610059808.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/06 H01L27/00 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2008-10-22 ：
授权
2007-03-21 ：
实质审查的生效
2007-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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