半导体元件及其形成方法
授权
摘要
一种半导体元件及其形成方法，该半导体元件包括：一导体图案；一L形间隙壁，包括一垂直部分及一水平部分，该垂直部分置于该导体图案的较低侧壁上，露出该导体图案的上层侧壁；以及一顶部间隙壁，置于该L形间隙壁上，其中该L形间隙壁的该垂直部分对于该顶部间隙壁的宽度比至少约2∶1。本发明提供一种简单且易控制间隙壁来增加金属硅化物形成的面积，所形成的间隙壁可降低因侧壁蚀刻所产生的底切，不会增加间隙壁制程的复杂度，只需改变绝缘层的厚度比即可达成本发明。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1925167A
申请号 ：
CN200610003590.9
公开（公告）日 ：
2007-03-07
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑光茗郑钧隆庄学理
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610003590.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L23/522 H01L21/28 H01L21/336 H01L21/768
法律状态
2010-02-10 ：
授权
2007-05-02 ：
实质审查的生效
2007-03-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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