形成半导体结构或元件的方法
授权
摘要
本发明提供一种形成半导体结构或元件的方法。先提供一基底。一栅电极接着形成于该基底上。一源/漏极区形成于该基底。一非晶区形成于该栅电极与该源/漏极区的一上部分。一应力盖层形成于该非晶区上。对该非晶区进行极速退火，并使该非晶区结晶。该应力盖层大致全部移除。本发明所述形成半导体结构或元件的方法，可提供金属氧化物半导体元件的沟道区适当的应力。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体结构或元件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1892998A
申请号 ：
CN200510136575.7
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈建豪聂俊峰李资良陈世昌梁孟松
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510136575.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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