半导体元件及其形成方法
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摘要
一种形成隔离沟槽的方法及系统，包括于一半导体基板上形成隔离沟槽，以一填沟材料填充此沟槽，此填沟材料可为一介电质，在接近此沟槽的上缘制造出空隙，并于一气体环境下进行加热退火以回流此沟槽边缘，使此边缘圆角化并悬垂于此沟槽。接着形成十分靠近此沟槽特定位置的电晶体，可包括形成于半导体基板上的悬垂于沟槽圆形部分的源极/汲极区域。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838412A
申请号 ：
CN200610058186.1
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯志欣葛崇祜黄健朝
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610058186.1
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2008-09-03 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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