用于形成半导体元件的板状基体及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
根据本发明能够提供弯曲少的板状半导体基体。该板状半导体基体包括硅衬底以及在该硅衬底上用以形成经由用氮化物半导体构成的缓冲区(3)配置的半导体元件的主要部分的主半导体区。缓冲区(3)由多层结构的多个第一缓冲区(9)和单层结构的多个第二缓冲区(10)的交互层叠体形成。第二缓冲区(10)中包含空隙(15)。通过在多层结构的第一缓冲区(9)的相互之间配置具有空隙(15)的第二缓冲区(10)，改善了半导体基体的弯曲且改善了主半导体区的结晶性。
基本信息
专利标题 ：
用于形成半导体元件的板状基体及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770399A
申请号 ：
CN200510108525.8
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李定植菅原智也
申请人 ：
三垦电气株式会社
申请人地址 ：
日本新座市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200510108525.8
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L29/38 H01L33/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2009-02-25 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-07-05 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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