半导体元件形成方法及基板处理装置
公开
摘要
半导体元件形成方法，其包括：形成覆盖层(Ps)的工序；和进行蚀刻的工序。在形成覆盖层(Ps)的工序中，形成对设置于由基材(S)支承的层叠结构(L)中的凹槽(R)中位于表面侧的部分进行选择性覆盖的覆盖层(Ps)。在进行蚀刻的工序中，以扩大凹槽(R)中较之覆盖层(Ps)为深部(Rf)的直径的方式，用药液(C)对凹槽(R)的深部(Rf)进行蚀刻。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件形成方法及基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303243A
申请号 ：
CN202080060033.9
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-06-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梅田荣次鳅场真树
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
杨宏军
优先权 ：
CN202080060033.9
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/1157 H01L21/67 H01L21/3213
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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