绝缘膜形成方法及基板处理方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。
基本信息
专利标题 ：
绝缘膜形成方法及基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048858A
申请号 ：
CN200580036456.2
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐藤吉宏中山友绘小林浩大崎良规高桥哲朗
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580036456.2
主分类号 ：
H01L21/318
IPC分类号 ：
H01L21/318 H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/318
由氮化物组成的无机层
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101638250059
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利号 : ZL2005800364562
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20101103
终止日期 : 20141102
号牌文件序号 : 101638250059
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利号 : ZL2005800364562
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20101103
终止日期 : 20141102
2010-11-03 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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