基板处理装置和基板处理方法
授权
摘要
提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置和基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109244004A
申请号 ：
CN201811000665.7
公开（公告）日 ：
2019-01-18
申请日 ：
2015-10-20
授权号 ：
CN109244004B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
高桥宏幸风间和典岩渕纪之户田聪高桥哲朗
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201811000665.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/3065 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-02-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20151020
申请日 : 20151020
2019-01-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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