基板处理装置和基板处理方法
公开
摘要
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。更可靠地抑制在基板的表面形成的图案的倒塌。基板处理装置使用超临界状态的处理流体对在表面附着有液体的基板进行干燥，其包括：处理容器，其容纳基板；基板保持部，其在处理容器内将基板以表面朝向上的方式保持为水平；第1供给管线，其与设于处理容器的第1流体供给部连接，向处理容器内供给处理流体；排出管线，其与设于处理容器的排出部连接，排出处理流体；旁路管线，其在设定于第1供给管线的第1分支点处从第1供给管线分支且在设定于排出管线的连接点处与排出管线连接，能够使在第1供给管线流动的处理流体的至少一部分不经由处理容器而是向排出管线排出；以及旁路开闭阀，其使旁路管线开闭。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置和基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496837A
申请号 ：
CN202111195593.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
井原亨田中晓五师源太郎山下刚秀山中励二郎神代英明
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111195593.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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