基板处理装置和基板处理方法
授权
摘要
本发提供一种抑制或防止基板间的处理产生偏差的基板处理装置和方法。该装置包括：基板保持单元，保持基板；处理液流通构件，由内壁面划分出与喷出口连通的处理液流通路的至少一部分；处理液供给单元，向处理液流通路供给比常温高的处理液；温度变化单元，从外侧对处理液流通构件的外壁面加热或冷却，使处理液流通构件的温度变化；控制装置，执行基板处理工序和平衡温度维持工序，在基板处理工序中，控制处理液供给单元，向处理液流通路供给比常温高的处理液，从喷出口喷出处理液，对基板实施处理，在平衡温度维持工序中，在未从处理液供给单元向处理液流通路供给处理液的状态下，控制温度变化单元，将处理液流通构件的内壁面维持为热平衡温度。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置和基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108630573A
申请号 ：
CN201810169101.X
公开（公告）日 ：
2018-10-09
申请日 ：
2018-02-28
授权号 ：
CN108630573B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
桥本光治长田直之
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋晓宝
优先权 ：
CN201810169101.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2018-11-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180228
申请日 : 20180228
2018-10-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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