基板处理装置和基板处理方法
公开
摘要
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。抑制基板处理装置的占地面积。基板处理装置包括：载体模块，其载置收纳基板的载体；一个处理模块，自载体模块向一个处理模块输送基；另一处理模块，其与一个处理模块重叠并且自另一处理模块向载体模块输送基板；升降移载机构，其具备沿横向延伸的轴和与基板相对并进行支承的支承面，使轴和支承部在用于相对于第1处理模块输送机构交接基板的位置和用于相对于第2处理模块交接基板的位置之间升降；以及转动机构，其使支承部绕轴转动，以当升降移载部位于第1区域和第2区域时使支承面成为第1朝向，当升降移载部在第1区域与第2区域之间升降时使支承面成为相对于水平面的倾斜度大于第1朝向的第2朝向。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置和基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551284A
申请号 ：
CN202111357630.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
渡边刚史土山正志榎木田卓山本太郎
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111357630.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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