基板处理装置以及基板处理方法
授权
摘要
本发明提供基板处理装置及基板处理方法。即使在一次蚀刻处理中溶解的蚀刻对象物的量多的情况下也能使处理槽内的处理液浓度稳定。基板处理装置以向包括规定的药液以及纯水的处理液浸渍基板的方式对该基板进行规定的处理。此外，其具备：处理槽，用于进行规定处理的处理液存储于基板；供给部，用于向处理槽供给所述药液或所述纯水；排出部，用于排出存储于处理槽内的处理液；控制部，用于控制由供给部供给药液或纯水；控制部在执行规定处理时向供给部供给药液或所述纯水。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置以及基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107871689A
申请号 ：
CN201710850534.7
公开（公告）日 ：
2018-04-03
申请日 ：
2017-09-20
授权号 ：
CN107871689B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
杉冈真治
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府京都市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
向勇
优先权 ：
CN201710850534.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2018-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20170920
申请日 : 20170920
2018-04-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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