基板处理方法和基板处理装置
公开
摘要
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制在液处理中使基板被污染。基于本公开的一个方式的基板处理方法包括处理液喷出工序和混合流体喷出工序。在处理液喷出工序中，向基板喷出将硫酸和过氧化氢水溶液混合生成的处理液。在混合流体喷出工序中，向被喷出有处理液的基板喷出将处理液与蒸汽状或雾状的纯水混合生成的混合流体。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法和基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420551A
申请号 ：
CN202111159129.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
樱井宏纪后藤大辅绪方信博桥本佑介水口将辉许彦瑞
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111159129.3
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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