基板处理方法和基板处理装置
公开
摘要
本发明提供基板处理方法和基板处理装置。在使基板吸附于利用加热器加热的基板台并进行基板处理时，降低基板的吸附时产生于基板的背面的损伤。基板处理方法为在基板处理装置中对基板进行液处理的方法，该基板处理装置包括：基板台，其吸附所述基板；加热器，其加热所述基板台；以及处理液喷嘴，其向吸附于所述基板台的所述基板供给处理液，其中，该基板处理方法包括：吸附工序，在该吸附工序中，在所述基板与所述基板台之间没有温度差或温度差在预先确定的范围内时，利用所述基板台吸附所述基板；以及所述吸附工序之后的处理液供给工序，在该处理液供给工序中，自所述处理液喷嘴向吸附于利用所述加热器加热的所述基板台的所述基板供给处理液。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法和基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496884A
申请号 ：
CN202111211452.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
立花康三森川胜洋水永耕市饱本正巳根岸康介
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111211452.0
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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