基板处理装置和基板处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明构思涉及一种基板处理装置，其包括：加工腔室，其具有第一主体和第二主体；支撑单元，其支撑基板；加热单元，其加热基板；驱动器，其使第一主体和第二主体中的任一个移动；间隔状态检测单元，其在第一主体和第二主体被放置在加工位置时检测第一主体的侧壁和第二主体的侧壁之间的间隔状态；以及控制器，其控制驱动器和间隔状态检测单元，其中间隔状态检测单元包括：压力提供管线，其在第一主体的侧壁和第二主体的侧壁之间提供正压力或负压力；以及压力测量构件，其测量压力提供管线的压力的变化。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置和基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446825A
申请号 ：
CN202111289258.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方济午安迎曙李承汉李承桓金铉玟
申请人 ：
细美事有限公司
申请人地址 ：
韩国忠清南道
代理机构 ：
北京市中伦律师事务所
代理人 ：
钟锦舜
优先权 ：
CN202111289258.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211102
申请日 : 20211102
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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