基板处理装置和基板处理方法
公开
摘要
本发明提供基板处理装置和基板处理方法。一边控制基板周围的气氛一边进行批量式的液处理。基板处理装置包括：处理容器，其具有储存处理液的储存部和封闭储存部的上部的开口的盖部；基板保持部，其将多个基板以铅垂姿势在水平方向上空开间隔地保持；第1旋转轴，其自基板保持部贯穿处理容器的第1侧壁向外侧水平延伸；旋转驱动部，其设于处理容器的外部，使基板保持部旋转；处理流体喷嘴，其设于盖部，自比处理液的液位高的位置向基板或其周围的空间供给处理流体。当盖部位于封闭位置时，处理容器的内部形成密闭的内部空间。当盖部位于开放位置时，能够相对于基板保持部送入送出基板。以各基板的仅下侧部分浸渍于处理液的状态进行液处理。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置和基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551278A
申请号 ：
CN202111295785.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
饱本正巳北野淳一田中幸二大塚贵久南田纯也
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111295785.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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