基板处理装置和基板处理方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种可对多块基板实施稳定的等离子体处理的基板处理装置。基板处理装置(10)具有容纳晶片(W)实施RIE处理的腔室(11)，容纳在该腔室(11)内的晶片(W)的周围配置有聚焦环(25)。通过对P型硅至少实施一次加热处理制造该聚焦环(25)。

基本信息

专利标题：

基板处理装置和基板处理方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1825536A

申请号：

CN200610001492.1

公开（公告）日：

2006-08-30

申请日：

2006-01-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

宫野真一

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200610001492.1

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/20 H01L21/3065 H01L21/67 C23C16/44 C23C14/22 C23F4/00 H05H1/00 H01J37/32