基板处理方法及基板处理装置
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摘要
本基板处理方法是使用处理液对基板的表面进行处理的基板处理方法，包括：混合液置换步骤，以第一液体与第二液体的混合液来置换附着在上述基板的表面的处理液，该第二液体的沸点比上述第一液体的沸点高且该第二液体具有比上述第一液体的表面张力低的表面张力；及混合液去除步骤，在上述混合液置换步骤之后，从上述基板的表面去除上述混合液。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法及基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107924832A
申请号 ：
CN201680044269.7
公开（公告）日 ：
2018-04-17
申请日 ：
2016-06-07
授权号 ：
CN107924832B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
尾辻正幸本庄一大
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋晓宝
优先权 ：
CN201680044269.7
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2018-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20160607
申请日 : 20160607
2018-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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