基板处理装置以及基板处理方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本发明公开一种基板处理装置以及基板处理方法,通过从基板表面良好地排除冲洗液,能够抑制或者防止产生基板表面上的条状的颗粒。该基板处理装置具有基板倾斜机构,所述基板倾斜机构使保持基板的基板保持机构上的基板倾斜。在向基板上供给冲洗液而形成液块之后,通过基板倾斜机构,使基板倾斜微小角度。这样,液块不发生破裂,并且在基板的上表面上不残留微小液滴而向下方落下。此后,基板返回水平姿势,使基板干燥。

基本信息
专利标题 :
基板处理装置以及基板处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101361169A
申请号 :
CN200680051270.9
公开(公告)日 :
2009-02-04
申请日 :
2006-01-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
荒木浩之德利宪太郎
申请人 :
大日本网屏制造株式会社
申请人地址 :
日本京都府
代理机构 :
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 :
马少东
优先权 :
CN200680051270.9
主分类号 :
H01L21/304
IPC分类号 :
H01L21/304  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理,例如研磨、抛光、切割
法律状态
2015-04-01 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101713102374
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL2006800512709
变更事项 : 专利权人
变更前 : 大日本网屏制造株式会社
变更后 : 斯克林集团公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本京都府
变更后 : 日本京都府
2010-02-24 :
授权
2009-04-01 :
实质审查的生效
2009-02-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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