基板处理方法及基板处理装置
授权
摘要
一种基板处理方法，使用处理液处理被保持为水平姿势的基板，所述基板处理方法包括置换工序，在该置换工序中，将附着于所述基板的上表面的处理液置换为表面张力低于该处理液的表面张力的低表面张力液体，所述置换工序执行如下工序：中央部喷出工序，从配置于所述基板的上方的第一低表面张力液体喷嘴向所述上表面的中央部喷出所述低表面张力液体；非活性气体供给工序，与所述中央部喷出工序并行执行，为了形成沿所述上表面流动的气流，向所述基板的上方供给非活性气体；以及周缘部喷出供给工序，与所述中央部喷出工序及所述非活性气体供给工序并行执行，从配置于所述基板的上方的第二低表面张力液体喷嘴向所述上表面的周缘部喷出所述低表面张力液体。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法及基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108028192A
申请号 ：
CN201680054020.4
公开（公告）日 ：
2018-05-11
申请日 ：
2016-09-13
授权号 ：
CN108028192B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
江本哲也永德笃郎岩田智巳泷昭彦
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
向勇
优先权 ：
CN201680054020.4
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20160913
申请日 : 20160913
2018-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
