基板处理方法以及基板处理装置
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摘要
一种基板处理方法，在基板(W)的上表面形成处理液的液膜(30)，向该液膜(30)喷出含有低表面张力液体的蒸汽的气体来形成液膜除去区域(31)，使该液膜除去区域(31)扩大，向基板(W)的下表面供给冷却液(29)，一边将液膜(30)冷却至低于低表面张力液体的沸点的温度，一边喷出加热气体来选择性地排除冷却液(29)，并且通过加热气体来对已排除了冷却液(29)的范围(33)进行加热，选择性地将基板(W)的上表面的液膜除去区域(31)加热到低表面张力液体的沸点以上的温度，并使对液膜除去区域(31)进行加热的范围，与液膜除去区域(31)的扩大同步地扩大。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法以及基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108305842A
申请号 ：
CN201810011800.1
公开（公告）日 ：
2018-07-20
申请日 ：
2018-01-05
授权号 ：
CN108305842B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
尾辻正幸
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
金相允
优先权 ：
CN201810011800.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2018-08-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180105
申请日 : 20180105
2018-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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