存储元件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种存储元件包括：配置在衬底上的多个叠层结构；以及介电层。每一个叠层结构包括：第一导体层、第二导体层、栅间介电层、金属硅化物层以及阻障层。第二导体层配置在第一导体层上。栅间介电层配置在第一导体层与第二导体层之间。金属硅化物层配置在第二导体层上。阻障层配置在金属硅化物层与第二导体层之间。介电层横向环绕多个叠层结构的下部，以暴露出多个叠层结构的金属硅化物层的一部分。另提供一种存储元件的形成方法。
基本信息
专利标题 ：
存储元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334985A
申请号 ：
CN202011085013.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡易宗林志豪
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱颖
优先权 ：
CN202011085013.5
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L29/423 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20201012
申请日 : 20201012
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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