形成且操作辅助电荷存储元件之方法
授权
摘要
本发明提供一种形成一辅助电荷记忆(AC内存)单元之方法。该方法使用一包括二侧电荷设陷层之二侧电荷陷阱记忆单元。一电荷系形成在该二侧电荷设陷层之至少一部份中。该二侧电荷设陷层中之一侧(AC侧)恒具有一固定高临限电压(Vt)位准，该电荷系用于AC记忆单元之辅助电荷。该另一侧(资料侧)系用于记忆体操作。
基本信息
专利标题 ：
形成且操作辅助电荷存储元件之方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1873931A
申请号 ：
CN200510131482.5
公开（公告）日 ：
2006-12-06
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭明昌吴昭谊李明修徐子轩
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
夏青
优先权 ：
CN200510131482.5
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8247 H01L29/788 H01L27/115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2010-08-04 ：
授权
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2007-03-14 ：
发明专利公报更正
更正卷 : 22
号 : 49
页码 : 无
更正项目 : [30]优先权(第2项[32]在先申请日)
误 : [32]2005.12.02
正 : [32]2005.12.01
号 : 49
页码 : 无
更正项目 : [30]优先权(第2项[32]在先申请日)
误 : [32]2005.12.02
正 : [32]2005.12.01
2007-03-14 ：
发明专利申请公布说明书更正
更正卷 : 22
号 : 49
页码 : 无
更正项目 : [30]优先权(第2项[32]在先申请日)
误 : [32]2005.12.02
正 : [32]2005.12.01
号 : 49
页码 : 无
更正项目 : [30]优先权(第2项[32]在先申请日)
误 : [32]2005.12.02
正 : [32]2005.12.01
2006-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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