存储单元以及电荷陷入层存储单元的阵列的操作方法
授权
摘要
一种减少电荷陷入层存储单元中栅极干扰的方法，它是通过施加不同的Vpass电压于所选择的字线的不同侧。较高的Vpass电压用于通过较高的源极/漏极电压以及较低的Vpass电压用于通过较低的源极/漏极电压。当施加Vpass电压时，可通过控制所选择字线的不同侧上的Vpass电压，以减少栅极区域所建立的垂直电场。此减少的垂直电场将可抑制栅极干扰。此减少存储单元中栅极干扰的方法也包括新颖的位线偏压方案，其还可减少垂直电场的产生，以抑制栅极干扰，尤其是在存储单元阵列中的栅极干扰。
基本信息
专利标题 ：
存储单元以及电荷陷入层存储单元的阵列的操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808718A
申请号 ：
CN200510125711.2
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖意瑛叶致锴蔡文哲
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN200510125711.2
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L29/78 G11C16/02 G11C16/06 G11C7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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