电荷陷入非易失存储单元的程序化方法
授权
摘要
本发明披露一种上升Vs通道起始二次电子注入(CHISEL)程序化方法，用来程序化电荷陷入非易失性存储单元。在该程序化方法中，一个正源极电压会施加至电荷陷入非易失性存储单元的源极，一个正漏极电压会施加至电荷陷入非易失性存储单元的漏极，其中该正漏极电压大于该正源极电压。而且电荷陷入非易失性存储单元的基底为接地。此外，一个正栅极电压会施加至电荷陷入非易失性存储单元的多晶硅栅极。
基本信息
专利标题 ：
电荷陷入非易失存储单元的程序化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797608A
申请号 ：
CN200510114467.X
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕函庭谢光宇
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王昕
优先权 ：
CN200510114467.X
主分类号 ：
G11C16/06
IPC分类号 ：
G11C16/06 H01L21/8247 H01L27/115
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路，例如：用于写入存储器的
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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